Làm thế nào để chọn tụ điện cho một bộ dao động tinh thể

Đây là một tinh thể 32 MHz từ một trong những thiết kế tham chiếu của TI

Danh sách BOM định nghĩa tinh thể là

" CRYSTAL, OSCILATOR, 32MHz, 10pF, 10PPM/+10PPM, ‐40DEGC/+85DEGC, SMD"

Nó dành cho MCU (ARM M3) và biểu dữ liệu có chương phụ này:

Dưới đây là liên kết đến chương Bộ dao động tinh thể 32 MHz:

Khi tôi sử dụng công thức CL ở trên:

CL = 1 / (1 / 12pF + 1 / 12pF) + Cp = 6 pF + Cp

Một thiết kế tham chiếu khác của TI sử dụng chip từ cùng một gia đình có tinh thể dưới đây

tất cả các sai sót khác giống như các công thức và ghi chú ở trên. BOM định nghĩa tinh thể là:

Pha lê, 32.000 MHz, NX3225DA, 10 / 15ppm, 16 pF! Nhiệt độ -30 - +85 độ C!

CL = 1 / (1 / 27pF + 1 / 27pF) + Cp = 13,5pF + Cp

Tôi thực sự không thể hiểu làm thế nào C341và C351các giá trị được chọn, bất cứ ai có thể vui lòng giải thích nó?

Và làm thế nào để bạn giả định giá trị của Cp?

Cp là điện dung đầu vào cộng với điện dung đi lạc. Bạn có thể sử dụng một vài pF (3-5pF) cho giá trị trừ khi có gì đó thực sự lạ.

Vì vậy, đối với một tinh thể được xếp hạng với tải 10pF, Cl = (10pF-Cp) 2, vì vậy nếu chúng ta sử dụng 4pF cho Cp, chúng ta sẽ nhận được 12pF cho các tụ tải.$\cdot$

Đối với tinh thể 16pF, Cl = (16-Cp) 2, vì vậy sử dụng 4pF cho Cp, chúng tôi nhận được 24pF, sử dụng 3pF chúng tôi nhận được 26pF. $\cdot$