Loại bỏ dòng chảy vi mô

Tôi đã xây dựng một hộp mực mở rộng RAM cho máy tính VIC-20 của mình.

Nó sử dụng chip SRAM CY62256L 32KB . Nó đã hoạt động tốt, ngoại trừ có một sự giải quyết.

Nếu tôi tắt máy tính, nhưng vẫn để ổ đĩa ngoài được cấp nguồn, có một lượng nhỏ dòng điện (rõ ràng thông qua đường đặt lại của ổ đĩa vào Vcc chính) vẫn được cung cấp cho bảng mở rộng.

Nó ở trong micro-watts nhưng nó đủ để giữ chip RAM ở chế độ chờ công suất thấp.

Có cách nào để tôi có thể ngăn dòng điện nhỏ này chảy không?

Đây là mạch của tôi (xin miễn cho sự lộn xộn của nó):

EDIT: Đây là một sự làm rõ về những gì đang xảy ra. Đây là một trang từ sơ đồ của máy tính, được tắt khi rò rỉ hiện tại.

Các ổ đĩa ngoài được cung cấp bên ngoài. Vòng tròn màu đỏ là nơi nó đang gửi + 5V vào cổng nối tiếp trong khi máy tính bị tắt, tức là đường đặt lại. Vòng tròn màu xanh là nơi đường thiết lập lại kết nối với bảng của tôi.

Tuy nhiên, vòng tròn màu xanh lá cây là nơi dòng thiết lập lại thường được máy tính kéo lên và ở đây tôi nghĩ là nơi nó bị rò rỉ trên Vcc. Mà bước vào bảng mở rộng của tôi tại vòng tròn màu tím.

Đó là Vcc có dòng điện cung cấp năng lượng cho RAM. Dòng thiết lập lại của bảng cũng cao, nhưng nó chỉ được kết nối với một công tắc.

Điều đó có giúp giải thích không?

Xem như bạn chắc chắn đó là thiết lập lại và thiết lập lại hoạt động ở mức thấp, bạn có thể tạo lại thiết lập lại. Trước khi thực hiện, bạn nên xác minh rằng thiết lập lại khi bị ngắt kết nối trên ổ đĩa ngoài sẽ tăng cao.

Nó nên, bởi vì nó là "sức mạnh tìm nguồn cung ứng" cho bảng mở rộng của bạn, do đó rất có thể có một sự kéo lên bên trong gây ra tất cả các rắc rối của bạn. Nếu có một pull-up bên trong ổ đĩa, bạn chỉ có thể sử dụng hai MOSFET:

^{mô phỏng mạch này - Sơ đồ được tạo bằng CircuitLab}

Chúng có thể là các MOSFE công suất thấp đơn giản.

Bạn cũng có thể ngắt kết nối thiết lập lại từ nguồn gốc của nó với bảng VCC với một mẹo nhỏ:

^{mô phỏng mạch này}

Nếu Board Vcc cao và Board Reset thấp, MOSFET có điện áp nguồn cổng dương và nó sẽ tiến hành và cũng cho phép Thiết lập lại ổ đĩa bị kéo xuống thấp bởi tín hiệu đặt lại.

Nếu Thiết lập lại ổ đĩa ở mức cao, nhưng Thiết lập lại bảng và VCC của bo mạch thấp, MOSFET có điện áp nguồn cổng 0V và do đó sẽ bị tắt. Các diode cơ thể bên trong trong trường hợp đó là theo hướng chặn và trong các MOSFET hiện đại không nên rò rỉ đủ nữa.

Nếu Thiết lập lại bảng cao (không phụ thuộc vào Bảng VCC), diode cơ thể của MOSFET sẽ được đặt theo hướng thuận và tiến hành, kéo Drive Reset lên cao, nhưng tất nhiên là có điện áp giảm trên diode cơ thể bị trừ. Khả năng kéo lên trong ổ chắc chắn sẽ đưa nó đi hết quãng đường còn lại.

Nếu không có "lần nhấp" nào cho bạn (ý định chơi chữ), điều này chắc chắn sẽ:

^{mô phỏng mạch này}

Đây là ý tưởng của tôi. Tôi không chắc nó tốt hơn những ý tưởng khác nhau của Asmyldof. Có một số cảnh báo với điều này, mà tôi sẽ thêm vào trong mô tả.

^{mô phỏng mạch này - Sơ đồ được tạo bằng CircuitLab}

Đặt lại là thiết lập lại từ ổ đĩa. SRAM_RESET là thiết lập lại trên hộp mực mở rộng của bạn. SRAM_VCC là VCC từ hộp mực mở rộng của bạn. Khi SRAM_VCC ở mức cao, Q1 và M1 được bật và hai bộ được đặt lại với nhau. Khi SRAM_VCC xuống thấp, Q1 sẽ tắt và sau đó R1 sẽ kéo cổng M1, do đó tắt M1 và ngăn dòng điện vào mạng SRAM_RESET.

Hạn chế của mạch này là nó tải dòng thiết lập lại với 470k khi bật Q1. Điều này thực sự có thể kích hoạt thiết lập lại, đó sẽ là xấu. Vì vậy, nếu 470k tải quá nhiều, bạn có thể thay đổi R1 thành giá trị cao hơn nhiều (thậm chí 5 Meg). Sẽ ổn khi tải thiết lập lại với 5M.

Hoặc, nếu VCC từ ổ đĩa khả dụng (hãy gọi nó là VCC_DRIVE), bạn có thể kéo cổng M1 lên VCC_DRIVE thay vì kéo nó lên RESET. Sau đó, giá trị pullup có thể là 470k hoặc bất cứ điều gì.

Bạn cũng có thể thay đổi Q1 thành mosfet kênh N, nếu muốn. Nếu bạn làm điều đó, tôi khuyên bạn nên thay đổi R2 thành 1k.

Chúc may mắn, và chúng tôi rất thích nghe lại cách bạn làm ra!