Tại sao DRAM giữ trạng thái tốt hơn khi trời lạnh (khi tắt nguồn)?

Tôi xin lỗi nếu điều này không đúng chủ đề. Nó có thể phù hợp hơn cho một diễn đàn phần cứng máy tính, nhưng tôi không thể tìm thấy bất cứ điều gì phù hợp.

Tôi đã đọc về phương pháp khởi động lạnh , có thể được sử dụng trong các cuộc điều tra pháp y, bởi chính phủ của kẻ thù hoặc bởi những kẻ tấn công tội phạm để lấy chìa khóa cho một ổ cứng được mã hóa từ DRAM khi máy tính bị tắt. Phương pháp này mê hoặc tôi, bởi vì tôi chưa bao giờ nhận ra DRAM vẫn giữ trạng thái của chúng khi tắt nguồn, nhưng rõ ràng các tụ điện có thể giữ lại một phần điện tích của chúng trong vài phút hoặc thậm chí vài giờ khi máy tính tắt.

Một cái gì đó tôi đã tự hỏi về. Bài báo nói rằng tốc độ phân hủy bị chậm lại đáng kể ở nhiệt độ thấp hơn. Tại sao cái này rất? Tôi đoán đó là do các electron ít bị kích thích ở nhiệt độ thấp hơn, vì vậy chúng ít có khả năng nhảy từ phân tử này sang phân tử khác, vì vậy các tụ điện có thể giữ điện tích của chúng lâu hơn. Tôi có đúng trong suy nghĩ này không?

Về cơ bản là vì dòng rò của một bóng bán dẫn trong một tế bào DRAM phụ thuộc vào nhiệt độ . Đây là sơ đồ tế bào DRAM điển hình (lấy từ cuốn sách đó):

Và đây là một biểu đồ chung về cách dòng rò thay đổi theo nhiệt độ cho FET cấp IC

Biểu đồ sau là từ một cuốn sách khác . Trên thực tế, đây là một sự phụ thuộc theo cấp số nhân về nhiệt độ (lưu ý biểu đồ bán kết), gần đúng chỉ bằng cách sử dụng mô hình diode Shockley . Cuốn sách nói rằng "một quy tắc chung là dòng rò rỉ tăng gấp đôi cho mỗi lần tăng nhiệt độ 10C".