Có bất kỳ tác dụng phụ không lý tưởng của việc đặt các tụ điện song song để tăng điện dung?

Tôi muốn một tụ điện 500uF. Về mặt lý thuyết, tôi có thể đặt song song 5 tụ 100uF để đạt được 500uF điện dung.

Tuy nhiên, có bất kỳ tác dụng phụ của thực tế thực hiện điều này? Có những tác dụng không lý tưởng mà tôi nên tính đến?

Lưu ý: Tôi đang tìm một tụ gốm gắn trên bề mặt 500uF. Tôi đã có thể tìm thấy những thứ này, tuy nhiên, dung sai chỉ là +/- 20%. Hơn nữa, tôi chỉ tìm thấy một nhà sản xuất trong số này và tôi không muốn quá phụ thuộc vào một nhà sản xuất.

Song song tụ là tốt điện. Điều đó thực sự làm giảm ESR tổng thể và tăng khả năng dòng điện gợn, thường là nhiều hơn một tụ điện có giá trị mong muốn giúp bạn có được. Thực sự không có nhược điểm điện cho việc này.

Các hiệu ứng không lý tưởng nổi bật là chi phí và không gian.

Tùy thuộc vào ngành nghề bạn đang làm việc, các chế độ thất bại không hoạt động có thể được xem xét.

5off 100uF @ + -20% có nghĩa là mức lan truyền tối đa của điện dung đầu cuối là: 400uF -> 600uF. Chắc chắn tỷ lệ cược là tất cả ở mức tối đa hoặc tối thiểu là bao nhiêu ...

Nếu một tụ điện bị hỏng mạch hở (hàn, cơ, v.v.) thì tổng nhịp là 320uF -> 480uF. & phạm vi danh nghĩa nằm trong phạm vi này, lỗi không hoạt động không thể phát hiện nhanh trong bất kỳ sản phẩm nào của PAT.

Các tụ song song thực sự có thể giới thiệu cộng hưởng ở tần số cao, đặc biệt nếu chúng có các giá trị khác nhau. Xem liên kết này để biết thêm thông tin. Đặc biệt là cốt truyện ở trang 3.

Đây thực sự là một vấn đề lớn khi tách rời các tín hiệu BGA vì bạn không thể có được các tụ điện gần như bạn muốn và bạn cần sử dụng các giá trị khác nhau.

Có, có một hình phạt rất lớn cho việc bỏ qua ESR trong các mũ song song ở tần số RF.

Do các hành vi cộng hưởng (//) và chống cộng hưởng (loạt) trong các nắp song song, mũ gốm ESR cực thấp thực sự có thể khuếch đại nhiễu do loạt Q cao, ngay cả khi song song (//) Q thấp.

Murata đã khắc phục điều này bằng cách tăng ESR một chút trong các nắp gốm RF của họ để giảm Series Q và làm phẳng "băng thông Z thấp" trong các bộ lọc SMPS, trở thành tốc độ chuyển đổi quan trọng> 1 MHz.

Bạn phải nhận biết hằng số thời gian ESR * C trong tất cả các mũ shunt, SRF và Series Q cũng như để loại bỏ sóng hài tối ưu.

Bằng chứng:

Làm thế nào nhiều tụ điện đóng góp cho một mạch RC?

Để có thêm kinh nghiệm về ESR so với giá trị của C, hãy tham khảo thông tin của tôi (mà tôi có thể sao lưu) Điều gì đã xảy ra với các tụ điện trong thế kỷ 21?

Vấn đề của bạn không phải là ESR của mũ, mà là ESR cao của tế bào tiền xu (dựa trên các câu hỏi trước đó của bạn)

Giải pháp: Sử dụng pin tốt hơn như CR123A với ESR 3.00V thấp hơn nhiều << 1Ω ESR

Các tế bào sơ cấp lithium có điện dung FAR nhiều hơn các tụ điện điện phân với cùng chi phí hoặc kích thước.

• Tải lỗi quy định% giảm điện áp di động xu = RL / (RL + ESR (bat)

Bằng chứng về ESR (bỏ qua dung sai ước tính từ biểu đồ nhưng cho tế bào SoC 50%.)

Bảng dữ liệu mẫu

• Quy tắc của ngón tay cái
  • CR1025 có dung lượng 30 mAh khi tải 0.1mA và ESR ~ 161
  • CR1216 có dung lượng 25 mAh khi tải 0.1mA và ESR ~ 210

- do đó, dung lượng Ah ngược với ESR của pin hoặc mAh * ESR = không đổi - dành cho gia đình cụ thể về hóa học và nhà cung cấp

• chính xác SAME đúng với mọi tụ điện trong đó ESR * C = hằng số
  • cho bất kỳ gia đình nhất định và kích thước tương tự
  • Nhưng khác nhau giữa hóa học nội bộ, chất lượng, nhà cung cấp.
  • khi nắp hoặc pin bị hao mòn, ESR tăng mạnh và C giảm mạnh khi mAh giảm.
• ESR * C <1us cho ESR cực thấp
• ESR * C - 100us đến> 1 ms cho điện phân phèn mục đích chung
• ESR * C <0,01us cho gốm ESR thấp ở các giá trị nhỏ.