Tại sao hầu hết các phototransistors IR chậm?

Hầu hết các phototransitor silicon NPN mà tôi thấy (Everlight, Kingbright, v.v.) có thời gian tăng và giảm khá kém, theo thứ tự 10us.

Chiếc tốt nhất tôi từng thấy cho đến nay là QT Brightek QSD8T120B với thời gian tăng và giảm của 7 chúng tôi. Các nhà sản xuất luôn chỉ định những thời điểm nhất định với dòng điện tải và điện trở và điện áp collector nhất định, và trong trường hợp này chúng lần lượt là 200uA, 100R và 5V. 7us sẽ cho phép tốc độ truyền dữ liệu trong trường hợp tốt nhất là khoảng 71kbit / s.

Yếu tố hạn chế ở đây là gì? Ngã ba điện dung? Có một công nghệ khác để phát hiện IR mà tôi nên tìm kiếm để có được tốc độ dữ liệu lý thuyết ít nhất 500kbit / s không?

Bộ khuếch đại photodiode + transimpedance có thể cho bạn phản ứng nhanh hơn nhiều. Một chút thông tin tốt đã được viết. Bất cứ điều gì bởi Phil Hobbs sẽ hữu ích.

Bằng cách giữ điện áp phân cực không đổi trên PD, bạn có thể giảm ảnh hưởng của điện dung diode. Một thiên vị ngược không đổi và lớn sẽ làm giảm thêm điện dung.

Nhiều ánh sáng hơn sẽ cho phép bạn sử dụng PD nhỏ hơn (điện dung thấp hơn) và điện trở phản hồi giá trị thấp hơn, do đó bạn sẽ nhận được phản hồi nhanh hơn.

Một phototransistor giống như một PD giữa bộ thu và cơ sở của một bóng bán dẫn để bạn có được điện dung PD nhân với hiệu ứng Miller. Nếu bạn thiên vị một phototransistor để Vce không thay đổi, bạn có thể nhận được phản hồi nhanh hơn từ nó.