Để giảm điện áp thấp hơn, người ta có thể sử dụng điốt Schottky, nhưng nhược điểm của Schottky là gì?

Nói cách khác, tại sao chúng ta không luôn sử dụng điốt Schottky nếu chúng tốt hơn nhiều? Những thuộc tính diode nào làm điốt Schottky có làm cho chúng không phù hợp cho các ứng dụng nhất định?

Chúng có giá cao hơn, có dòng rò ngược cao hơn và lớn hơn về mặt vật lý theo một tìm kiếm nhanh. Tất nhiên họ nhanh hơn nhiều :)

Có vẻ như trong một so sánh kích thước tương tự, chúng không thể tiêu hao nhiều năng lượng như một diode công suất thông thường. Ngoài ra với dòng điện lớn hơn, bạn mất lợi thế Vfw đó. Oh và wiki nói rằng họ thường có xếp hạng điện áp ngược thấp hơn ở mức 50V.

Xa từ một danh sách toàn diện:

• Điốt Schottky có xếp hạng tương đương thường đắt hơn so với điốt silicon PN. Tôi đã thấy chênh lệch giá từ 20% - 200% tùy theo xếp hạng.
• Điốt Schottky có xếp hạng điện áp ngược tối đa thấp hơn có thể với điốt PN.

Về cơ bản cùng một lý do mà schottkys có mức giảm về phía trước thấp, chúng có dòng ngược lớn.

Từ phương trình diode:

$I_f = I_s\cdot e^{\frac{-qV_f}{kT}}, V_f = \frac{kT} {q}\cdot \ln\frac{I_f}{I_s}$

- có một thuật ngữ lớn là những gì làm cho Vf nhỏ. Tuy nhiên, dòng rò ngược cũng bằng giá trị Is.

Từ cấu trúc của chúng, schottkys silicon chỉ có thể chịu được khoảng -30 V một mình. Những cái điện áp cao hơn được tạo ra, nhưng về cơ bản những cái này có một JFE bên trong nối tiếp với chúng - đây là thứ thực sự chịu được hầu hết điện áp ngược.

Đây là một thứ nghe có vẻ hơi lạ, nhưng rất quan trọng trong một số cách sử dụng: sụt điện áp thấp.

Đôi khi nó rất hữu ích để phân phối tản nhiệt giữa các thành phần trong một thiết bị. Lấy ví dụ về nguồn điện áp tuyến tính truyền thống: Bạn có một máy biến áp, bộ chỉnh lưu sóng đầy đủ, tụ điện lớn và bộ điều chỉnh điện áp cộng với một số tụ điện nhỏ hơn gần nó.

Giả sử máy biến áp có điện áp đầu ra danh định là 12 V AC. Khi chúng ta khắc phục điều đó và lấp đầy tụ điện, chúng ta có khoảng 17 V DC trên tụ điện trong trường hợp điốt lý tưởng không bị sụt điện áp. Nếu chúng ta muốn cấp nguồn cho một thiết bị được điều chỉnh bởi LM7812, chúng ta sẽ cần phải tiêu tan thêm 5 volt. Điện áp bỏ qua điển hình cho bộ điều chỉnh là 2 V, vì vậy chúng tôi còn lại khoảng 3 V để loại bỏ. Điều đó sẽ đi vào tản nhiệt của bộ điều chỉnh và sẽ làm tăng lượng nhiệt mà bộ điều chỉnh tiêu tan. Mặt khác, nếu chúng ta xem bảng dữ liệu của 1N4007, chúng ta có thể thấy rằng điện áp chuyển tiếp nằm trong khoảng 0,7 V đến 1 V ở khu vực hiện tại sẽ rất thú vị với người dùng LM7812. Vì vậy, với mức tiêu thụ hiện tại thấp, 3 volt còn lại sẽ biến thành nhiều nhất là 1. 6 V (vì chúng ta có hai điốt tiến hành trong bộ chỉnh lưu bất kỳ lúc nào) cần phải tiêu tan vào tản nhiệt của bộ điều chỉnh. Ở dòng điện cao hơn, 3 V còn lại sẽ biến thành 1 V không phải là vấn đề lớn và mang lại cho chúng ta một số biên nếu điện áp rơi của bộ điều chỉnh cao hơn 2 V. thông thường.

Nếu chúng ta sử dụng điốt Shottky loại 1N5819 cho bộ chỉnh lưu cầu, chúng ta sẽ bị sụt điện áp trên các điốt khoảng 1,2 V, khiến chúng ta có nhiều nhiệt hơn để tự tiêu tan trên bộ điều chỉnh.

Các schottkys silicon có thể được tìm thấy ở 250 Volt một cách dễ dàng nhưng ở 250V có một lựa chọn RẤT hạn chế. Các nhà sản xuất thông qua đại diện bán hàng của họ nói rằng họ không thể làm cho chúng trên 250 V. Có vấn đề về dòng rò ngược tăng lên có thể làm đảo lộn một số mạch VÀ gây ra sự thoát nhiệt ở nhiệt độ cao dưới Tjmax ở điện áp dưới Vrmax. Sự chạy trốn này có thể xảy ra ở điện áp thấp khi sử dụng các thiết bị điện áp thấp dễ dàng như ở điện áp cao. OK giữ cho họ mát mẻ trừ khi bạn thực sự biết những gì bạn đang làm. SiC schottkys có sẵn ở điện áp cao và nhanh và đắt tiền nhưng sự sụt giảm của foward có thể tồi tệ hơn một diode bình thường ở dòng điện thực tế. Các thiết bị Sic này có điện trở lớn đáng kể.