Một thay thế giá rẻ và mạnh mẽ phổ biến cho 2n7000 MOSFET để sử dụng với các thiết kế 3,3 Volt là gì? [đóng cửa]

Các tương đương phổ biến với 2n7000 , cho các mạch MCU 3,3 Volt để chuyển đổi các thiết bị điện áp cao hơn là gì?

Bối cảnh: Đối với các nguyên mẫu và thử nghiệm dựa trên vi điều khiển 5 Volt, giải pháp chuyển tiếp của tôi cho tần số thấp, chuyển đổi phía thấp của dòng điện 50-200 mA hoặc các thiết bị 10-40 Volt được điều khiển bởi chân kỹ thuật số / PWM, đã rẻ hơn (0,05 đô la bán lẻ ở đây tại Ấn Độ) và có sẵn 2n7000 MOSFET.

Khía cạnh tốt nhất của việc sử dụng MOSFET này là, tôi đã tạo ra một loạt PCB khối xây dựng nhỏ với điện trở cổng 100 Ohm và kéo xuống cổng 10 k, và chỉ cần cắm chúng vào hầu hết mọi thứ không phải là tần số cao hoặc tải cao . Nó chỉ hoạt động, và gần như chống đạn. Nếu tôi có thể tìm thấy bất kỳ phần 4 x 2n7000 bất kỳ cục bộ nào, tôi chắc chắn tôi cũng sẽ tạo các khối xây dựng 4 kênh.

Khi làm việc với 3,3 Volt MCU và bo mạch (ví dụ: Launchpad TI MSP430 ) , giải pháp chuyển đổi mạnh mẽ, dễ dàng tương đương , nếu có, mà người ta chuyển sang tạo mẫu nhanh không quan trọng?

Tôi hiện đang kết thúc bằng cách sử dụng 2n7002 , whch không bật đủ mạnh hoặc các bộ phận IRL / IRLZ khác nhau, mặc dù chúng có giá gấp 10-20 lần. IRL / LZ thường không có sẵn ngoài thị trường tại "phố thị trường linh kiện điện tử" nơi tôi chọn các bộ phận ngẫu nhiên cho các kệ linh kiện cá nhân của mình khi tôi không làm việc với BOM hoặc kế hoạch.

Các AO3422 gợi ý trong ý kiến cho câu hỏi này chỉ đơn giản là không có sẵn tại địa phương trong bán lẻ.

Tôi muốn tránh các BJT cho mục đích này vì chúng có xu hướng chạy nóng hơn MOSFET và dù sao tôi cũng tạo ra đủ số lượng ma thuật khói thuốc.

Tôi biết không nhất thiết phải có một câu trả lời đúng cho vấn đề này, nhưng tôi chắc chắn rằng, sẽ có lợi cho nhiều người khi nhảy vào các thiết bị 3,3 Volt.

$V_{GS(th)}$$I_D$$V_{DS}$

Nhược điểm duy nhất là chúng chỉ gắn trên bề mặt - bạn sẽ cần quay một PCB nhỏ để sử dụng chúng.

Yêu thích của tôi đối với các mạch 3,3 Volt và thậm chí 2,5 Volt là SI4562 , N và P MOSFET trong một gói duy nhất, với mức thấp hơn nhiều đối với cả hai kênh N và P so với 2n7000. Chúng không đắt khoảng $ 0,37 mỗi mảnh trên eBay. Ngay cả khi bạn chỉ sử dụng N hoặc P, đó là một thỏa thuận tốt. Nó vẫn đắt hơn nhiều so với 2n7000 nhưng ngay cả khi đó nó là một MOSFET tốt hơn nhiều so với 2n7000. Hiện tại là 4 đến 6 amper cho mỗi kênh, không phải milliamperes như 2n7000. Tôi đã tạo một cây cầu bằng cách sử dụng nó để lái một động cơ nhỏ và nó thậm chí không ấm trong khi sử dụng BJT, nó đang rất nóng.

RDSON cho kênh P là 0,05 ohms và đối với kênh N là 0,035 ohms với giá trị VGS là 2,5 volt.

Gợi ý của tôi là Nhà sản xuất Diodes Inc DMN4800LSS-13 Mô tả MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

trong khoảng 1K qty 17 xu

Còn 2N7002PW từ NXP thì sao? Về cơ bản, cùng một thiết bị có cùng mức giá trong một gói nhỏ hơn (SC-70), nhưng với RDSon thấp hơn (1 Ohm so với 2,8 Ohm) và nên bật mạnh hơn theo biểu đồ.

Tôi thường chỉ sử dụng 2N7000 và điện trở tải lớn hơn (10k trở lên) và nó khá đáng tin cậy như tôi đã tìm ra. Tôi đã sử dụng Raspberry Pi mà hầu như không thể nguồn hoặc chìm bất kỳ dòng điện nào (bảng tối đa 7mA hoặc $ 35 là bánh mì nướng), vì vậy các thiết kế của tôi thường được tiêu với 2N7000 và với tải trọng thoát cao hơn và các bộ phận CMOS hạ lưu rất đáng tin cậy.