Cách hiệu quả nhất / tốt nhất để làm cầu H là gì? Tôi muốn mất điện thấp nhưng thời gian chuyển đổi nhanh vì tôi sẽ sử dụng PWM. Tôi đã cân nhắc sử dụng 2 MOSFET kênh P và 2 kênh N để thực hiện điều này. Nhưng, tôi nhận ra rằng các thiết bị kênh P có điện trở kênh cao hơn nhiều gây mất điện nhiều hơn.
Vì vậy, tôi đã xem xét sử dụng 4 MOSFET kênh N nhưng vấn đề nằm ở điện áp cổng. Nguồn điện của tôi sẽ vào khoảng 15V và tôi sẽ sử dụng arduino / atmega cho tín hiệu PWM (5V). Vì vậy, tôi tự hỏi đâu là cách tốt nhất để khuếch đại điện áp cổng này để các MOSFET kênh N phía cao bật trong khi cũng cho tôi thời gian chuyển đổi nhanh. Hoặc, tôi đang tự đào một cái lỗ và chỉ nên gắn bó với kênh P?
có thể trùng lặp lái xe phía thấp của cầu mosfet với 3,3V
—
Phil Frost
Thực sự có ít nhất ba vấn đề ở đây, mỗi vấn đề đủ phức tạp để tạo ra các câu hỏi riêng biệt: 1) điều khiển MOSFET song song, 2) sử dụng MOSFET kênh N cho phía cao và 3) thiết kế trình điều khiển cổng thích hợp để nhanh chóng chuyển đổi MOSFET. Nếu câu trả lời chung đã có ở đây không giải quyết câu hỏi của bạn, tôi khuyên bạn nên chỉnh sửa hoặc hỏi một câu hỏi mới để cụ thể hơn.
—
Phil Frost
Bao nhiêu hiện tại? Bạn đang nói về loại tốc độ chuyển đổi nào? Bạn đã xem xét một giải pháp tích hợp (IC)?
—
Tut
Tôi không mỉa mai, có vẻ như từ ngữ của bạn, bạn không biết những thứ này tồn tại. IC tài xế cổng
—
Matt
@Matt Anderson Tôi nghĩ rằng nếu bạn không mỉa mai thì ít nhất bạn cũng không giúp được gì nhiều. IC điều khiển cổng không phải là một tiêu chuẩn, và có nhiều ưu và nhược điểm, vì có quá nhiều loại thực hiện. Đối với công tắc vô cực về thời gian của công tắc phía cao, IC ổ đĩa cổng khởi động, sẽ không hoạt động (chỉ khi sử dụng nguồn cung cấp riêng biệt cho phía cao, do đó sẽ không sử dụng bootstrap).
—
Diego C Nascimento