Bảo vệ phân cực ngược - Diode PMOS vs Schottkey

Tôi có một mạch chạy từ 2 ô AA nối tiếp, nghĩa là tôi nhận được 3.0V khi còn mới (hoặc 2.4V nếu các ô NIMH) và nó giảm xuống 2.0V, đó là khi mạch của tôi không thể hoạt động được nữa (không có DC / DC trên bo mạch). Đó là một mạch hiện tại rất thấp (<30mA 99% thời gian). Mạch này rất dễ nhận biết vì nó sẽ được sản xuất hàng loạt. Mỗi xu đều có giá trị.

Tôi muốn tạo ra một bảo vệ phân cực ngược hiệu quả. Ngay bây giờ tôi đang sử dụng một diode schottkey và giảm điện áp ~ 0,24V trên nó. Tôi đoán rằng tôi đang lãng phí một số nước ép pin tốt theo cách này khi mạch của tôi tắt ngay cả trước khi pin thực sự cạn kiệt.

Điều gì sẽ là lợi thế và sự biến mất của việc chuyển sang bảo vệ kiểu PMOS?

Tôi bối rối về các thông số & số tôi cần xác minh trong biểu dữ liệu PMOS để nó có thể cung cấp bảo vệ phân cực cho đầu vào dòng điện áp thấp / thấp này?

Tôi giả sử loại mạch bạn đang nghĩ đến là: -

Để sử dụng trên mạch chạy bằng pin của bạn, tôi thấy rất ít để nói với nó. Một vài điều mặc dù; bạn cần chọn một FET thấp$V_{GS(threshold)}$ để thiết bị vẫn cung cấp mức giảm volt nhỏ ở mức điện áp pin thấp VÀ bạn sẽ cần một FET với mức thấp $R_{DS(on)}$ sao cho ở mức 30mA (hoặc bất kể dòng điện cực đại của bạn là gì), FET đang giảm xuống dưới (giả sử) 100mV.

Có thể FET sau đây là một ví dụ điển hình: -

Với ổ cổng 1.8V, nó có 0,071$\Omega$Sức cản. Ở mức thoát 100mA, thiết bị này sẽ "mất" 7.1mV.

Nếu chi phí thực sự là một ưu tiên cao như bạn nói, thì tại sao lại cần sự bảo vệ phân cực ngược? Khi điều quan trọng là mạch rẻ hơn mạnh, bạn làm cho nó rẻ với chi phí mạnh. Nếu ai đó lắp pin ngược, ồ, đó là vấn đề của họ.

Tất nhiên, cực của pin cần phải được kiểm tra rõ ràng, nhưng điều đó thường có thể được thực hiện mà không mất thêm chi phí. Trừ khi bạn đang thực hiện bộ giữ pin của riêng mình như một phần của vỏ tùy chỉnh hoặc thứ gì đó, bộ giữ pin rẻ nhất có lẽ là clip gắn trực tiếp trên PCB. Bạn có thể vẽ đường viền pin rõ ràng để hiển thị cực trên màn hình bên dưới nơi lắp đặt pin.