Sự khác biệt giữa MOSFE giữa các đặc tính kháng và chuẩn hóa

Trong biểu dữ liệu cho STP36NE06, nó có hai biểu đồ dường như mâu thuẫn với nhau:

Trong biểu đồ bên trái, for Vgs=10vvà Id=18A, độ dốc của đường cong biểu thị rằng Rds xấp xỉ 0,05 ohms. (Vds sẽ là khoảng 1v). Tuy nhiên, biểu đồ bên phải cho thấy nó sẽ nằm trong khoảng 0,6 đến 1,8 ohms.

Tôi không hiểu gì ở đây?

Cảm ơn

"Bình thường hóa" là những gì bạn đang thiếu. Trục Y trên biểu đồ RH là không thứ nguyên - đó là một tỷ lệ.

Nếu MOSFET có$R_{DS(ON)}$ 43m$\Omega$ ở ~ 27 ° C, sau đó sẽ là khoảng 1,45 lần so với 100 ° C và 0,6 lần đó ~ = 25,8m$\Omega$ ở -40 ° C.

Một nguyên tắc cơ bản mà tôi sử dụng là biểu dữ liệu $R_{DS(ON)}$sẽ cao hơn khoảng 50% ở nhiệt độ đường nối tối đa mà tôi muốn hoạt động. Đó là bởi vì nó thường được trích dẫn ở nhiệt độ tiếp giáp 25 ° C. Họ kiểm tra rằng bằng cách sử dụng các xung dòng ngắn để mối nối không có cơ hội nóng lên. Vì vậy, giống như nhiều số biểu dữ liệu,$R_{DS(ON)}$ số trong bản in lớn có thể đánh lừa người không sẵn sàng.

Điều còn thiếu là ý nghĩa của "chuẩn hóa" ... 1.0 trên biểu đồ RH có nghĩa không phải là 1.0 ohm mà là 1.0 * giá trị bình thường của điện trở. Do đó, biểu đồ chỉ ra cách điện trở quy mô với, trong trường hợp này, nhiệt độ đường giao nhau.

Giá trị của một biểu đồ được chuẩn hóa là dễ dàng hơn để áp dụng cho các tình huống liên quan khác nhau - có lẽ là các Rd (bật) ở các VSS khác nhau hoặc Id khác nhau.