Tần số RAM và độ trễ khác nhau như thế nào? Nó ảnh hưởng đến hiệu suất như thế nào?

Tôi có một câu hỏi liên quan đến hai thông số kỹ thuật của bộ nhớ RAM, lượng Mhz và thời gian trễ (ví dụ: 9-9-9-24).

Cái nào trong hai cái này là quan trọng nhất đối với hiệu năng hệ thống và tại sao? Ngoài ra chính xác sự khác biệt giữa hai là gì?

Một bài viết từ Toms Phần cứng thực hiện công việc rất tốt trong việc giải thích thời gian RAM

• CAS, thường được mở rộng dưới dạng nhấp nháy địa chỉ cột (hoặc đôi khi là chọn địa chỉ cột), dùng để chỉ cột cho một số vị trí bộ nhớ vật lý trong một mảng bao gồm các cột và hàng tụ điện được sử dụng trong các mô-đun bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) (trong đó cả ba loại RAM trong hướng dẫn này đều là loại phụ). Độ trễ CAS thường xuất hiện đầu tiên trong các chuỗi thời gian cho RAM và cho biết số chu kỳ xung nhịp trôi qua giữa khi bộ điều khiển bộ nhớ hướng dẫn mô-đun bộ nhớ truy cập vào một cột cụ thể trong hàng hiện tại của nó và khi truy cập đó tạo ra dữ liệu nằm trong đó.
• Trcd hoặc tRCD, thường được mở rộng dưới dạng độ trễ RAS sang CAS, trong đó RAS được mở rộng dưới dạng nhấp nháy địa chỉ hàng, trong đó R đề cập đến hàng cho một vị trí bộ nhớ vật lý trong một mảng bao gồm các cột và hàng tụ điện được sử dụng cho các mô-đun DRAM. Giá trị này chỉ định số chu kỳ xung nhịp giữa một hàng Địa chỉ nhấp nháy (RAS) và CAS, và biểu thị địa chỉ hàng cho độ trễ địa chỉ cột cho mô-đun bộ nhớ.
• Trp hoặc tRP, thường được mở rộng dưới dạng nạp tiền RAS, đại diện cho số chu kỳ đồng hồ cần thiết để kết thúc quyền truy cập vào hàng bộ nhớ hiện tại và bắt đầu truy cập vào hàng bộ nhớ tiếp theo, để tRP = thời gian cho việc nạp tiền hàng.
• tRAS hoặc Tras, thường được mở rộng khi thời gian truy cập RAS được đo bằng số chu kỳ đồng hồ cần thiết để truy cập một hàng dữ liệu nhất định trong DRAM giữa yêu cầu dữ liệu ban đầu và lệnh nạp tiền cần thiết để bắt đầu truy cập bộ nhớ tiếp theo. Theo định nghĩa, tRAS phải lớn hơn hoặc bằng CAS cộng với tRCD, cộng với hai chu kỳ bổ sung, để có thời gian truy cập hoàn tất, khi chúng đọc hoặc ghi nhiều bit bộ nhớ, mà DDR (2 bit), DDR2 ( 4 bit) và DDR3 (8 bit) đều làm với số lượng ít hơn hoặc lớn hơn.

Thời gian bộ nhớ RAM thường xuất hiện dưới dạng chuỗi gồm bốn số được phân tách bằng dấu gạch ngang, như trong 5-5-5-15. Điều này chỉ ra rằng các giá trị CAS, tRCD và tRP đều bằng năm chu kỳ đồng hồ và giá trị tRAS bằng 15 chu kỳ đồng hồ. Các số xuất hiện trong các chuỗi này càng nhỏ, thời gian bộ nhớ càng chặt được cho là. Tương tự như vậy, số lượng lớn hơn được cho là chỉ ra thời gian lỏng lẻo hơn. Nói một cách đơn giản, độ trễ thấp hơn chi phí nhiều hơn, thời gian chặt chẽ hơn chi phí nhiều hơn và sự kết hợp của hai chi phí nhiều nhất là nơi bộ nhớ có liên quan.

Nguồn

Tôi sẽ đi với thời gian chặt chẽ hơn họ có xu hướng nhanh hơn và sự khác biệt 166 mhz thậm chí sẽ không được chú ý. Trên thực tế, cả hai đều rất gần đến mức bạn sẽ không nhận thấy bất kỳ sự khác biệt nào về tốc độ. Loại có xếp hạng Mhz cao hơn có thể là tốt nhất cho xung nhịp vì nó sẽ cung cấp cho bạn một khoảng trống nhỏ vì Intel hiện đại và tất cả các chip AMD đều tích hợp bộ điều khiển Bộ nhớ để bạn tăng FSB, bạn cũng sẽ vượt qua RAM. Nhưng một lần nữa, đây là tất cả sở thích cá nhân tùy thuộc vào những gì bạn sẽ làm với hệ thống của bạn. Một trong hai sẽ ổn nếu bạn chỉ xây dựng một hệ thống chứng khoán mà bạn không có kế hoạch ép xung.