Câu hỏi của tôi là tại sao JFE / FET được gọi là thiết bị điều khiển điện áp trong khi BJT được gọi là dòng điện được điều khiển như cả hai điện áp cần thiết để hoạt động đúng. Trong cả hai điện trường được sản xuất vậy tại sao lại có sự khác biệt? Bây giờ câu hỏi là dòng điện cũng được tạo ra do Điện áp và vẫn còn BJT được điều khiển hiện tại và điện áp FET được kiểm soát.
Bất kỳ ý tưởng?
Câu trả lời:
Tuyên bố là sai. Cả hai thiết bị đều được điều khiển bằng điện áp. Mô hình chính xác cho một bóng bán dẫn lưỡng cực là phương trình Ebers-Moll .
Lưu ý cách biến độc lập trong phương trình Ebers-Moll là: . Không phải cơ sở hiện tại!
Một BJT là một thiết bị dẫn điện, giống như JFE.
Ý tưởng rằng một BJT khuếch đại dòng điện là một tính năng của mô hình gần đúng có thể được sử dụng để thiết kế phần lớn các mạch BJT đơn giản.
Một sự đơn giản hóa / lý tưởng hóa cụ thể của BJT là một thiết bị hiện tại, không phải là BJT thực sự. Nó không hoạt động theo cách đó. Đơn giản là không có một con quỷ nhỏ nào trong căn cứ đếm các electron di chuyển qua cơ sở và phân tán lần mà nhiều electron vào bộ thu.
Bởi vì điện áp phát cực gốc của một BJT trong vùng vận hành của nó sẽ bị ảnh hưởng bởi dòng phát gốc, và ngược lại, những thay đổi đối với điện áp phát cực gốc của một bóng bán dẫn nhất định sẽ ảnh hưởng đến dòng cực phát-cực phát. Mặt khác, lượng thay đổi điện áp cơ bản-nguồn phát cần thiết để ảnh hưởng đến một sự thay đổi hiện tại của bộ thu-phát nhất định thường rất lớn và không thể đoán trước được; nó sẽ thay đổi rất lớn theo nhiệt độ, sự lão hóa, pha của mặt trăng, v.v ... Ngược lại, trong vùng vận hành "tuyến tính" của bóng bán dẫn, việc nhân đôi dòng phát xạ cơ sở sẽ tăng gấp đôi dòng thu-cực phát. Không hoàn toàn chính xác gấp đôi nó, nhưng khá gần. Hành vi như vậy có thể dự đoán được nhiều hơn so với mối quan hệ giữa điện áp phát cực gốc và dòng thu gốc.
Ngược lại, FET hoặc MOSFET không có bất kỳ dòng cổng nào ngoại trừ dòng điện do rò rỉ hoặc điện dung đi lạc. Những dòng điện đó không chính xác bằng 0, nhưng các nhà sản xuất thường cố gắng giảm thiểu chúng. Như vậy, thực sự không thể mô tả phản ứng của bóng bán dẫn với các mức dòng cổng khác nhau. Mối quan hệ giữa điện áp nguồn cổng và dòng nguồn cống gần như không thể dự đoán được như mối quan hệ giữa dòng phát cực gốc và dòng cực phát trong một BJT, nhưng nó vẫn có thể là cách dễ đoán nhất để mô tả hoạt động của thiết bị (nó dễ đoán và phù hợp hơn nhiều so với mối quan hệ có thể so sánh trên một chiếc BJT).
Trong BJTs, các phát hiện là tỷ lệ của các cơ sở hiện tại (đây là hFEgiá trị của BJT), trong khi ở FETs nguồn / cống hiện nay là tỷ lệ với cổng điện áp . Thực tế điều này có nghĩa là nếu bạn có nguồn điện áp có thể cung cấp rất ít dòng điện (chẳng hạn như ngón tay của bạn, sau khi bạn kéo chân qua một căn phòng trải thảm để tạo ra một số tĩnh điện), bạn có thể sử dụng tín hiệu này để kiểm soát FET, nhưng không phải là một BJT.
Nói một cách rất đơn giản và không có toán học liên quan:
FET nói chung, dòng thoát nguồn được kiểm soát với một dòng rất nhỏ từ cổng.
Các BJT yêu cầu nhiều dòng điện hơn, do cách thức hoạt động của nó, dòng collector-emitter tỷ lệ thuận với dòng điện từ cơ sở.
Cả hai đều sử dụng lực căng và dòng điện, nhưng trở kháng của FET rất cao và dòng điện mà chúng cần kiểm soát rất thấp, bạn chỉ cần một lực căng trên cổng để thực hiện điều khiển. Đó là lý do tại sao FET được coi là thiết bị kiểm soát căng thẳng.